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英特尔将在未来冲击1nm工艺：基于新一代光刻机

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簡介英特爾過去幾年在半導(dǎo)體制造的工藝所取得的成就遠(yuǎn)不如臺積電，當(dāng)然英特爾也承認(rèn)了自己的不足。不過作為半導(dǎo)體巨頭的英特爾自然會通過強(qiáng)大的研發(fā)團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體領(lǐng)域不斷地追趕，就在之前的技術(shù)大會上，英特爾就已經(jīng)公布 ...

英特爾過去幾年在半導(dǎo)體制造的工藝所取得的成就遠(yuǎn)不如臺積電，當(dāng)然英特爾也承認(rèn)了自己的不足。不過作為半導(dǎo)體巨頭的英特爾自然會通過強(qiáng)大的研發(fā)團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體領(lǐng)域不斷地追趕，就在之前的技術(shù)大會上，英特爾就已經(jīng)公布了未來數(shù)年的工藝制程路線圖，包括Intel 4、Intel 3、Intel 2乃至于Intel 18A，而現(xiàn)在又有消息稱英特爾已經(jīng)開始為之后兩代制程工藝做準(zhǔn)備以及命名。

除了英特爾之外，半導(dǎo)體組織也給出了他們對于未來制程工藝的定義，比如說2024年的N2工藝也就是2nm制程工藝，2026年將會達(dá)到A14工藝或者說是說1.4nm，最多的預(yù)測甚至達(dá)到了2036年，屆時(shí)全球半導(dǎo)體工藝將會達(dá)到A2，也就是0.2nm，基本上已經(jīng)趨近于物理晶體管的極限了。

毫無疑問根據(jù)英特爾曝光的消息，英特爾這里希望沖擊的是A14以及A10兩個(gè)工藝，相當(dāng)于1.4nm以及1nm，只是這兩個(gè)工藝距離正式量產(chǎn)還有相當(dāng)長的距離，此外想要實(shí)現(xiàn)如此先進(jìn)的工藝制程，采用EUV光刻機(jī)必不可少，而光刻機(jī)領(lǐng)域毫無疑問要依靠ASML。伴隨著制程工藝的進(jìn)步，光刻機(jī)的功耗也越來越高，據(jù)悉為了滿足如此先進(jìn)的制程工藝，ASML還要對光刻機(jī)進(jìn)行更新?lián)Q代，比如說在2026年推出基于High NA技術(shù)的EUV光刻機(jī)，能夠?qū)⒎直媛蔬M(jìn)一步提升，只是價(jià)格也將翻番，從目前的1.5億美元飛躍至4億美元。

估計(jì)伴隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步，未來晶圓代工的價(jià)格也將水漲船高，不知道芯片性能與日俱增，價(jià)格是否也將不斷上漲。

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